JANSR2N7381

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

JANSR2N7381
Изготовитель / Производитель

Microsemi
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

N CHANNEL MOSFET TO-257 RAD
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
Спецификация

JANSR2N7381.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-257
Серии

Military, MIL-PRF-19500/614
Rds On (Max) @ Id, Vgs

490 mOhm @ 9.4A, 12V
Рассеиваемая мощность (макс)

2W (Ta), 75W (Tc)
Упаковка /

TO-257-3
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

50nC @ 12V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

12V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

200V
Подробное описание

N-Channel 200V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

9.4A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с JANSR2N7381.

JANSR2N5153

Описание: RH POWER BJT

Производители: Microsemi

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

JANSR2N7381

Онлайн - запрос

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Южная Корея планирует ввести За...

Выберите язык

Текущий язык