1N4448,113

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

1N4448,113
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

1N4448,113.pdf
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

1V @ 100mA
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)

100V
Поставщик Упаковка устройства

ALF2
скорость

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

4ns
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

DO-204AH, DO-35, Axial
Другие названия

1N4448 T/R
568-1361-2
933120350113
Рабочая температура - Соединение

200°C (Max)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Диод Тип

Standard
Подробное описание

Diode Standard 100V 200mA (DC) Through Hole ALF2
Ток - Обратный утечки @ Vr

25nA @ 20V
Текущий - средний выпрямленный (Io)

200mA (DC)
Емкостной @ В.Р., F

4pF @ 0V, 1MHz
Номер базового номера

1N4448

Ниже приведены продукты, связанные с 1N4448,113.

1N4448-TP

Описание: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Производители: Micro Commercial Components (MCC)

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

1N4448,113

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык