2N7002T,215

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

2N7002T,215
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

2N7002T,215.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-236AB (SOT23)
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

830mW (Ta)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Другие названия

2N7002T T/R
2N7002T T/R-ND
934055796215
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

40pF @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

60V
Подробное описание

N-Channel 60V 300mA (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

300mA (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с 2N7002T,215.

2N7002VA

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

2N7002T,215

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык