BUK652R1-30C,127

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

BUK652R1-30C,127
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Vgs (й) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA
Vgs (макс.)

±16V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220AB
Серии

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

263W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Другие названия

568-7491-5
934064241127
BUK652R1-30C,127-ND
BUK652R130C127
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

10918pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

168nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

120A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с BUK652R1-30C,127.

BUK624R5-30C,118

Описание: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

Производители: Nexperia

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

BUK652R1-30C,127

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык