BUK9E6R1-100E,127

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

BUK9E6R1-100E,127
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Vgs (й) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA
Vgs (макс.)

±10V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I2PAK
Серии

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

349W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Другие названия

568-9877-5
934066517127
BUK9E6R1100E127
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

17460pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

133nC @ 5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

100V
Подробное описание

N-Channel 100V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

120A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с BUK9E6R1-100E,127.

BUK9E2R8-60E,127

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Производители: NXP Semiconductors / Freescale

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

BUK9E6R1-100E,127

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык