PDTC123JE,115

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PDTC123JE,115
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PDTC123JE,115.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор

NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства

SC-75
Серии

-
Резистор - основание эмиттера (R2)

47 kOhms
Резистор - основание (R1)

2.2 kOhms
Мощность - Макс

150mW
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

SC-75, SOT-416
Другие названия

568-11247-2
934051590115
PDTC123JE T/R
PDTC123JE T/R-ND
PDTC123JE,115-ND
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)

1µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

100mA
Номер базового номера

PDTC123

Ниже приведены продукты, связанные с PDTC123JE,115.

PDTC123ES,126

Описание: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

Производители: NXP Semiconductors / Freescale

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PDTC123JE,115

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык