PDTD113ES,126

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PDTD113ES,126
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PDTD113ES,126.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Тип транзистор

NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства

TO-92-3
Серии

-
Резистор - основание эмиттера (R2)

1 kOhms
Резистор - основание (R1)

1 kOhms
Мощность - Макс

500mW
упаковка

Tape & Box (TB)
Упаковка /

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Другие названия

934059141126
PDTD113ES AMO
PDTD113ES AMO-ND
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce

33 @ 50mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)

500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

500mA
Номер базового номера

PDTD113

Ниже приведены продукты, связанные с PDTD113ES,126.

PDTD113ZT,215

Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

Производители: Nexperia

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PDTD113ES,126

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык