1191317

PH8030L,115

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PH8030L,115
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Vgs (й) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

LFPAK56, Power-SO8
Серии

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

62.5W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Другие названия

934058818115
PH8030L T/R
PH8030L T/R-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2260pF @ 12V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

15.2nC @ 4.5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

76.7A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с PH8030L,115.

STB25NM60ND

Описание: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PH8030L,115

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык