PHB193NQ06T,118

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PHB193NQ06T,118
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PHB193NQ06T,118.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

300W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

934058545118
PHB193NQ06T /T3
PHB193NQ06T /T3-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

5082pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

85.6nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

55V
Подробное описание

N-Channel 55V 75A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

75A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с PHB193NQ06T,118.

PHB20NQ20T,118

Описание: MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK

Производители: Nexperia

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PHB193NQ06T,118

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык