PHM12NQ20T,518

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PHM12NQ20T,518
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PHM12NQ20T,518.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

8-HVSON (6x5)
Серии

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 12A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

62.5W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

8-VDFN Exposed Pad
Другие названия

934057302518
PHM12NQ20T /T3
PHM12NQ20T /T3-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1230pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

26nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

200V
Подробное описание

N-Channel 200V 14.4A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

14.4A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с PHM12NQ20T,518.

PHM18NQ15T,518

Описание: MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1

Производители: NXP Semiconductors / Freescale

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PHM12NQ20T,518

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык