PHT8N06LT,135

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PHT8N06LT,135
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Vgs (й) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (макс.)

±13V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

SOT-223
Серии

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 5A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-261-4, TO-261AA
Другие названия

568-7369-1
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

650pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

11.2nC @ 5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

55V
Подробное описание

N-Channel 55V 3.5A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

3.5A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с PHT8N06LT,135.

PHT1206Y1000BGTB

Описание: RES SMD 100 OHM 0.1% 1/10W 1206

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PHT8N06LT,135

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык