PHU66NQ03LT,127

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PHU66NQ03LT,127
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 25V 66A SPT533
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PHU66NQ03LT,127.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I-PAK
Серии

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

93W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Другие названия

934058327127
PHU66NQ03LT
PHU66NQ03LT-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

860pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

12nC @ 5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

25V
Подробное описание

N-Channel 25V 66A (Tc) 93W (Tc) Through Hole I-PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

66A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с PHU66NQ03LT,127.

PHU.2M.319.XLMT

Описание: CONN INLINE RCPT

Производители: LEMO

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PHU66NQ03LT,127

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык