PMFPB6532UP,115

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PMFPB6532UP,115
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Vgs (й) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (макс.)

±8V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

DFN2020-6
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 1A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)

520mW (Ta), 8.3W (Tc)
упаковка

Original-Reel®
Упаковка /

6-UDFN Exposed Pad
Другие названия

568-6531-6
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

380pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Тип FET

P-Channel
FET Характеристика

Schottky Diode (Isolated)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

20V
Подробное описание

P-Channel 20V 3.5A (Ta) 520mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount DFN2020-6
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

3.5A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с PMFPB6532UP,115.

PMF625

Описание: BOX TO STUD SUPPORT FOR 5/8 DRYW

Производители: Panduit

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PMFPB6532UP,115

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык