PMPB12UN,115

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PMPB12UN,115
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (макс.)

±8V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

6-DFN2020MD (2x2)
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

6-UDFN Exposed Pad
Другие названия

568-10451-2
934066861115
PMPB12UN,115-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

886pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

13nC @ 4.5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

20V
Подробное описание

N-Channel 20V 7.9A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

7.9A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с PMPB12UN,115.

PMPB10XNE,115

Описание: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Производители: Nexperia

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PMPB12UN,115

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык