3419043

PMT200EN,135

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PMT200EN,135
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

SOT-223
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

235 mOhm @ 1.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

800mW (Ta), 8.3W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-261-4, TO-261AA
Другие названия

568-10826-2
934066917135
PMT200EN,135-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

475pF @ 80V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

10nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

100V
Подробное описание

N-Channel 100V 1.8A (Ta) 800mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

1.8A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с PMT200EN,135.

PMT200EN,115

Описание: MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

Производители: NXP Semiconductors / Freescale

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PMT200EN,135

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык