1022096

PMWD16UN,518

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PMWD16UN,518
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PMWD16UN,518.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

700mV @ 1mA
Поставщик Упаковка устройства

8-TSSOP
Серии

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Мощность - Макс

3.1W
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Другие названия

568-2360-2
934057596518
PMWD16UN /T3
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1366pF @ 16V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

23.6nC @ 4.5V
Тип FET

2 N-Channel (Dual)
FET Характеристика

Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS)

20V
Подробное описание

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.9A 3.1W Surface Mount 8-TSSOP
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

9.9A

Ниже приведены продукты, связанные с PMWD16UN,518.

PMWD30UN,518

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP

Производители: NXP Semiconductors / Freescale

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PMWD16UN,518

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык