PSMN017-30LL,115

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PSMN017-30LL,115
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH QFN3333
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Vgs (й) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

8-DFN3333 (3.3x3.3)
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

37W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

8-VDFN Exposed Pad
Другие названия

568-5580-1
PSMN01730LL115
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

526pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

10nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 15A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

15A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с PSMN017-30LL,115.

PSMN016-100XS,127

Описание: MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F

Производители: NXP Semiconductors / Freescale

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PSMN017-30LL,115

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык