PSMN023-80LS,115

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PSMN023-80LS,115
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

8-DFN3333 (3.3x3.3)
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

65W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

8-VDFN Exposed Pad
Другие названия

568-5583-1
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1295pF @ 40V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

21nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

80V
Подробное описание

N-Channel 80V 34A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

34A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с PSMN023-80LS,115.

PSMN020-100YS,115

Описание: MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK

Производители: Nexperia

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PSMN023-80LS,115

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык