PSMN8R5-108ESQ

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PSMN8R5-108ESQ
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I2PAK
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

263W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Другие названия

568-11432-5
934068134127
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

5512pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

111nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

108V
Подробное описание

N-Channel 108V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

100A (Tj)

Ниже приведены продукты, связанные с PSMN8R5-108ESQ.

PSMN8R7-80PS,127

Описание: MOSFET N-CH 80V TO220AB

Производители: Nexperia

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PSMN8R5-108ESQ

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык