PZM9.1NB,115

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PZM9.1NB,115
Изготовитель / Производитель

Freescale / NXP Semiconductors
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PZM9.1NB,115.pdf
Напряжение - Изоляция

10 Ohm
Напряжение - Разбивка

SMT3; MPAK
Серии

-
Статус RoHS

Tape & Reel (TR)
Мощность - Макс

300mW
поляризация

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Другие названия

934046800115
PZM9.1NB T/R
PZM9.1NB T/R-ND
Рабочая Температура

-65°C ~ 150°C
Тип установки

Surface Mount
Уровень влажности (MSL)

1 (Unlimited)
Номер детали производителя

PZM9.1NB,115
Сопротивление (Макс) (ZZT)

9.1V
Расширенное описание

Zener Diode 300mW ±2% Surface Mount SMT3; MPAK
ESR (эквивалентное последовательное сопротивление)

±2%
Диод Конфигурация

500nA @ 6V
Описание

DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3
Ток - Обратный утечки @ Vr

1.1V @ 100mA

Ниже приведены продукты, связанные с PZM9.1NB,115.

PZM9.1NB3,115

Описание: DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3

Производители: NXP USA Inc.

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PZM9.1NB,115

Онлайн - запрос

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

Выберите язык

Текущий язык