Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > SI4410DY,518
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3853954

SI4410DY,518

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    SI4410DY,518
  • Изготовитель / Производитель
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V SOT96-1
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-SO
  • Серии
    TrenchMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    2.5W (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Другие названия
    934056382518
    SI4410DY /T3
    SI4410DY /T3-ND
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    2 (1 Year)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    34nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    -

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

2024/10/8

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

2024/09/26
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с SI4410DY,518.
SI4413DDY-T1-GE3

SI4413DDY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4413ADY-T1-GE3

SI4413ADY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4412ADY-T1-E3

SI4412ADY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4411DY-T1-GE3

SI4411DY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
SI4411DY-T1-E3

SI4411DY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4413CDY-T1-GE3

SI4413CDY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4409DY-T1-E3

SI4409DY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4410BDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4412ADY-T1-GE3

SI4412ADY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4408DY-T1-E3

SI4408DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4410BDY-T1-E3

SI4410BDY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4406DY-T1-E3

SI4406DY-T1-E3

Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4406DY-T1-GE3

SI4406DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
SI4410DYTRPBF

SI4410DYTRPBF

Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
SI4413ADY-T1-E3

SI4413ADY-T1-E3

Описание: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4408DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
SI4409DY-T1-GE3

SI4409DY-T1-GE3

Описание: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.