PHKD6N02LT,518

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PHKD6N02LT,518
Изготовитель / Производитель

Nexperia
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PHKD6N02LT,518.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Поставщик Упаковка устройства

8-SO
Серии

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 3A, 5V
Мощность - Макс

4.17W
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Другие названия

934056831518
PHKD6N02LT /T3
PHKD6N02LT /T3-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

2 (1 Year)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

950pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

15.3nC @ 5V
Тип FET

2 N-Channel (Dual)
FET Характеристика

Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS)

20V
Подробное описание

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

10.9A

Ниже приведены продукты, связанные с PHKD6N02LT,518.

PHKD13N03LT,118

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

Производители: Nexperia

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PHKD6N02LT,518

Онлайн - запрос

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Выберите язык

Текущий язык