PSMN2R0-30YLE,115

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.45

10+

$1.287

100+

$1.017

500+

$0.789

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PSMN2R0-30YLE,115
Изготовитель / Производитель

Nexperia
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V LFPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PSMN2R0-30YLE,115.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

LFPAK56, Power-SO8
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

272W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Другие названия

1727-1130-1
568-10285-1
568-10285-1-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

5217pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

87nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 100A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

100A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с PSMN2R0-30YLE,115.

PSMN2R1-60CSJ

Описание: MOSFET N-CH 60V D2PAK

Производители: Nexperia

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PSMN2R0-30YLE,115

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Выберите язык

Текущий язык