PSMN4R3-80ES,127

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$3.47

50+

$2.797

100+

$2.517

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

PSMN4R3-80ES,127
Изготовитель / Производитель

Nexperia
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

PSMN4R3-80ES,127.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I2PAK
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

306W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Другие названия

1727-5280
568-6708
568-6708-5
568-6708-5-ND
568-6708-ND
934065164127
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

8161pF @ 40V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

111nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

80V
Подробное описание

N-Channel 80V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

120A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с PSMN4R3-80ES,127.

PSMN4R2-30MLDX

Описание: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

Производители: Nexperia

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

PSMN4R3-80ES,127

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Выберите язык

Текущий язык