Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > QJD1210010
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6192464

QJD1210010

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    QJD1210010
  • Изготовитель / Производитель
    Powerex, Inc.
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    1.QJD1210010.pdf
    2.QJD1210010.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    5V @ 10mA
  • Поставщик Упаковка устройства
    Module
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 100A, 20V
  • Мощность - Макс
    1080W
  • упаковка
    Bulk
  • Упаковка /
    Module
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Chassis Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    10200pF @ 800V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    500nC @ 20V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Характеристика
    Silicon Carbide (SiC)
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    1200V (1.2kV)
  • Подробное описание
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    100A (Tc)

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

2024/11/25

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с QJD1210010.
BUK7K89-100EX

BUK7K89-100EX

Описание: MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56

Производители: Nexperia
Быть в наличии
RFQ
AON6946

AON6946

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 14A/18A 8DFN

Производители: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Быть в наличии
RFQ
MTMC8E280LBF

MTMC8E280LBF

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8

Производители: Panasonic
Быть в наличии
RFQ
IRF7328PBF

IRF7328PBF

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IRF7756GTRPBF

IRF7756GTRPBF

Описание: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
CPH6636R-TL-W

CPH6636R-TL-W

Описание: MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
QJD1210011

QJD1210011

Описание: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
VHM40-06P1

VHM40-06P1

Описание: MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
RFQ
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

Описание: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
NTMD6N03R2

NTMD6N03R2

Описание: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
FDW2501NZ

FDW2501NZ

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
QJD1210SA1

QJD1210SA1

Описание: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
NSTJD1155LT1G

NSTJD1155LT1G

Описание: MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
QJD1210SA2

QJD1210SA2

Описание: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
ECH8667-TL-HX

ECH8667-TL-HX

Описание: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NVMFD5C470NT1G

NVMFD5C470NT1G

Описание: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
SI6966DQ-T1-GE3

SI6966DQ-T1-GE3

Описание: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
IPG20N04S4L11AATMA1

IPG20N04S4L11AATMA1

Описание: MOSFET 2N-CH 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
QJD1210SB1

QJD1210SB1

Описание: MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
NVMFD5875NLWFT3G

NVMFD5875NLWFT3G

Описание: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.