1N5817RL

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

10000+

$0.096

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

1N5817RL
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

1N5817RL.pdf
Модель ECAD
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

450mV @ 1A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)

20V
Поставщик Упаковка устройства

DO-41
скорость

Fast Recovery = 200mA (Io)
Серии

-
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

DO-204AL, DO-41, Axial
Другие названия

1N5817RLST
Рабочая температура - Соединение

150°C (Max)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Диод Тип

Schottky
Подробное описание

Diode Schottky 20V 1A Through Hole DO-41
Ток - Обратный утечки @ Vr

500µA @ 20V
Текущий - средний выпрямленный (Io)

1A
Емкостной @ В.Р., F

-
Номер базового номера

1N5817

Ниже приведены продукты, связанные с 1N5817RL.

1N5817RLG

Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 1A AXIAL

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

1N5817RL

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык