BYT12PI-1000RG

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$2.543

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

BYT12PI-1000RG
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

BYT12PI-1000RG.pdf
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

1.9V @ 12A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)

1000V
Поставщик Упаковка устройства

TO220AC Isolated
скорость

Fast Recovery = 200mA (Io)
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

155ns
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-2 Isolated Tab
Другие названия

497-4810-5
Рабочая температура - Соединение

-40°C ~ 150°C
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Диод Тип

Standard
Подробное описание

Diode Standard 1000V 12A Through Hole TO220AC Isolated
Ток - Обратный утечки @ Vr

50µA @ 1000V
Текущий - средний выпрямленный (Io)

12A
Емкостной @ В.Р., F

-

Ниже приведены продукты, связанные с BYT12PI-1000RG.

BYT261PIV-1000

Описание: DIODE MODULE 1KV 60A ISOTOP

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

BYT12PI-1000RG

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык