MJB44H11T4-A

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$0.41

2000+

$0.382

5000+

$0.364

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

MJB44H11T4-A
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

MJB44H11T4-A.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

80V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A
Тип транзистор

NPN
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

Automotive, AEC-Q101
Мощность - Макс

50W
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-15455-2
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход

-
Подробное описание

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50W Surface Mount D2PAK
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)

10µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

10A

Ниже приведены продукты, связанные с MJB44H11T4-A.

2N6667G

Описание: TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

MJB44H11T4-A

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык