NAND01GW3B2AZA6E

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1260+

$11.221

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

NAND01GW3B2AZA6E
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

NAND01GW3B2AZA6E.pdf
Время цикла записи - слово, страница

30ns
Напряжение тока - поставка

2.7 V ~ 3.6 V
Технологии

FLASH - NAND
Поставщик Упаковка устройства

63-VFBGA (9x11)
Серии

-
упаковка

Tray
Упаковка /

63-TFBGA
Другие названия

497-5036
Рабочая Температура

-40°C ~ 85°C (TA)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

3 (168 Hours)
Тип памяти

Non-Volatile
Размер памяти

1Gb (128M x 8)
Интерфейс памяти

Parallel
Формат памяти

FLASH
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание

FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 30ns 63-VFBGA (9x11)
Номер базового номера

NAND01G
Время доступа

30ns

Ниже приведены продукты, связанные с NAND01GW3B2AZA6E.

NAND01GW3B2CZA6E

Описание: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Производители: Micron Technology

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

NAND01GW3B2AZA6E

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык