STB45N60DM2AG

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$6.30

10+

$5.629

100+

$4.616

500+

$3.738

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STB45N60DM2AG
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 34A
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STB45N60DM2AG.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±25V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 17A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

250W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-16129-1
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2500pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

56nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

34A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STB45N60DM2AG.

STB4NK60Z-1

Описание: MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STB45N60DM2AG

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык