STB7NK80Z-1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$1.664

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STB7NK80Z-1
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STB7NK80Z-1.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I2PAK
Серии

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

125W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Другие названия

497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1138pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

56nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

800V
Подробное описание

N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

5.2A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STB7NK80Z-1.

STB75N20

Описание: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STB7NK80Z-1

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык