STB80NF55L-08-1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$3.55

10+

$3.171

100+

$2.60

500+

$2.106

1000+

$1.776

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STB80NF55L-08-1
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STB80NF55L-08-1.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±16V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I2PAK
Серии

STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

300W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Другие названия

497-12542-5
STB80NF55L-08-1-ND
STB80NF55L081
Рабочая Температура

175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4350pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

100nC @ 4.5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

55V
Подробное описание

N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

80A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STB80NF55L-08-1.

STB80NF03L-04-1

Описание: MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STB80NF55L-08-1

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык