STBR6012W

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$3.80

10+

$3.416

100+

$2.799

600+

$2.383

1200+

$2.009

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STBR6012W
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STBR6012W.pdf
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

1.3V @ 60A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)

1200V
Поставщик Упаковка устройства

DO-247
скорость

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Серии

-
упаковка

Tube
Упаковка /

DO-247-2 (Straight Leads)
Другие названия

497-17161
Рабочая температура - Соединение

175°C (Max)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

29 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Диод Тип

Standard
Подробное описание

Diode Standard 1200V 60A Through Hole DO-247
Ток - Обратный утечки @ Vr

5µA @ 1200V
Текущий - средний выпрямленный (Io)

60A
Емкостной @ В.Р., F

-

Ниже приведены продукты, связанные с STBR6012W.

STBV32G-AP

Описание: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92AP

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STBR6012W

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык