STD1HNC60T4

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.16

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STD1HNC60T4
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

STD1HNC60T4.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

DPAK
Серии

PowerMESH™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

50W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия

497-2485-1
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

228pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

15.5nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 2A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

2A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STD1HNC60T4.

STD18N55M5

Описание: MOSFET N-CH 550V 13A DPAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STD1HNC60T4

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык