STD38NH02L-1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.762

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STD38NH02L-1
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 24V 38A IPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STD38NH02L-1.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I-PAK
Серии

STripFET™ III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5 mOhm @ 19A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

40W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

3 (168 Hours)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1070pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

24nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

24V
Подробное описание

N-Channel 24V 38A (Tc) 40W (Tc) Through Hole I-PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

38A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STD38NH02L-1.

STD3NK100Z

Описание: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STD38NH02L-1

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык