STGP10H60DF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$1.065

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGP10H60DF
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 20A 115W TO220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGP10H60DF.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

1.95V @ 15V, 10A
режим для испытаний

400V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

19.5ns/103ns
Переключение энергии

83µJ (on), 140µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

107ns
Мощность - Макс

115W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Другие названия

497-14277-5
STGP10H60DF-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

57nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 600V 20A 115W Through Hole TO-220
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

40A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

20A

Ниже приведены продукты, связанные с STGP10H60DF.

STGIPS20C60

Описание: MOD IPM SLLIMM 20A 600V 25SDIP

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGP10H60DF

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык