STGP12NB60KD

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$1.111

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGP12NB60KD
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 30A 125W TO220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGP12NB60KD.pdf
Модель ECAD
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.8V @ 15V, 12A
режим для испытаний

480V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

25ns/96ns
Переключение энергии

258µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220AB
Серии

PowerMESH™
Обратное время восстановления (ТИР)

80ns
Мощность - Макс

125W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

54nC
Подробное описание

IGBT 600V 30A 125W Through Hole TO-220AB
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

60A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

30A
Номер базового номера

STG*12NB

Ниже приведены продукты, связанные с STGP12NB60KD.

STGP10NB60S

Описание: IGBT 600V 29A 80W TO220

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGP12NB60KD

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык