STGW40H65DFB-4

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

600+

$3.137

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGW40H65DFB-4
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
Спецификация

STGW40H65DFB-4.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

650V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 40A
режим для испытаний

400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

40ns/142ns
Переключение энергии

200µJ (on), 410µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247-4L
Серии

HB
Обратное время восстановления (ТИР)

62ns
Мощность - Макс

283W
Упаковка /

TO-247-4
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Заряд затвора

210nC
Подробное описание

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247-4L
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

160A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

80A

Ниже приведены продукты, связанные с STGW40H65DFB-4.

STGW40H65FB

Описание: IGBT 650V 80A 283W TO247

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGW40H65DFB-4

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык