STGW50HF60SD

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$6.75

10+

$6.095

100+

$5.046

500+

$4.394

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STGW50HF60SD
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 110A 284W TO247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STGW50HF60SD.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

1.45V @ 15V, 30A
режим для испытаний

400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

50ns/220ns
Переключение энергии

250µJ (on), 4.2mJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

TO-247-3
Серии

-
Обратное время восстановления (ТИР)

67ns
Мощность - Макс

284W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-247-3
Другие названия

497-11089-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

200nC
Подробное описание

IGBT 600V 110A 284W Through Hole TO-247-3
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

130A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

110A

Ниже приведены продукты, связанные с STGW50HF60SD.

STGW60H65F

Описание: IGBT 650V 120A 360W TO247

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STGW50HF60SD

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык