STH140N8F7-2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$4.41

10+

$3.936

100+

$3.227

500+

$2.613

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STH140N8F7-2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STH140N8F7-2.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

H2Pak-2
Серии

DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 45A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

200W (Tc)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

497-14534-1
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

6340pF @ 40V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

96nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

80V
Подробное описание

N-Channel 80V 90A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

90A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STH140N8F7-2.

STH130N8F7-2

Описание: MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STH140N8F7-2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык