STI200N6F3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$3.128

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STI200N6F3
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STI200N6F3.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

I2PAK
Серии

STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

330W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

6265pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

101nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

60V
Подробное описание

N-Channel 60V 120A (Tc) 330W (Tc) Through Hole I2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

120A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STI200N6F3.

STI24NM60N

Описание: MOSFET N CH 600V 17A I2PAK

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STI200N6F3

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык