STL4P2UH7

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STL4P2UH7
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STL4P2UH7.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (макс.)

±8V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PowerFlat™ (2x2)
Серии

DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)

2.4W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

6-PowerWDFN
Другие названия

497-14996-2
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

510pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V
Тип FET

P-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

20V
Подробное описание

P-Channel 20V 4A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

4A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STL4P2UH7.

STL56N3LLH5

Описание: MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STL4P2UH7

Онлайн - запрос

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык