STP10N65K3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STP10N65K3
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STP10N65K3.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 3.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

150W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1180pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

42nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

650V
Подробное описание

N-Channel 650V 10A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

10A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STP10N65K3.

STP10N95K5

Описание: MOSFET N-CH 950V 8A TO-220

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STP10N65K3

Онлайн - запрос

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык