4222013

STP110N55F6

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$3.23

10+

$2.917

100+

$2.344

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STP110N55F6
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N CH 55V 110A TO-220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STP110N55F6.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220
Серии

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

150W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Другие названия

497-13552-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

8350pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

120nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

55V
Подробное описание

N-Channel 55V 110A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

110A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STP110N55F6.

STP11N60DM2

Описание: N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STP110N55F6

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык