STP19NB20

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

1000+

$1.001

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STP19NB20
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

STP19NB20.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220AB
Серии

PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 9.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

125W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Другие названия

497-2650-5
Рабочая Температура

150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1000pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

40nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

200V
Подробное описание

N-Channel 200V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

19A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STP19NB20.

STP18N60DM2

Описание: MOSFET N-CH 600V 12A

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STP19NB20

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык