STP35N60DM2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$5.64

50+

$4.531

100+

$4.128

500+

$3.343

1000+

$2.819

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STP35N60DM2
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 28A
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STP35N60DM2.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±25V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220
Серии

MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 14A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

210W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Другие названия

497-16359-5
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

42 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2400pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

54nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

28A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STP35N60DM2.

STP33N60M2

Описание: MOSFET N-CH 600V 26A TO220

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STP35N60DM2

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык