STPSC8H065BY-TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

2500+

$1.711

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STPSC8H065BY-TR
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

AUTOMOTIVE 650 V POWER SCHOTTKY
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
Спецификация

STPSC8H065BY-TR.pdf
Модель ECAD
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)

650V
Поставщик Упаковка устройства

DPAK
скорость

No Recovery Time > 500mA (Io)
Серии

Automotive, AEC-Q101
Обратное время восстановления (ТИР)

0ns
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия

497-18141-2
Рабочая температура - Соединение

-40°C ~ 175°C
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Диод Тип

Silicon Carbide Schottky
Подробное описание

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A Surface Mount DPAK
Ток - Обратный утечки @ Vr

80µA @ 650V
Текущий - средний выпрямленный (Io)

8A
Емкостной @ В.Р., F

414pF @ 0V, 1MHz

Ниже приведены продукты, связанные с STPSC8H065BY-TR.

STPSC8H065D

Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STPSC8H065BY-TR

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык