STQ2HNK60ZR-AP

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

2000+

$0.34

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STQ2HNK60ZR-AP
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STQ2HNK60ZR-AP.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-92-3
Серии

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 Ohm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

3W (Tc)
упаковка

Tape & Box (TB)
Упаковка /

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Другие названия

497-12344-3
STQ2HNK60ZRAP
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

38 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

280pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

15nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

500mA (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STQ2HNK60ZR-AP.

STQ1HNK60R-AP

Описание: MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STQ2HNK60ZR-AP

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык