STS10DN3LH5

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.55

10+

$1.373

100+

$1.085

500+

$0.842

1000+

$0.665

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STS10DN3LH5
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STS10DN3LH5.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Поставщик Упаковка устройства

8-SO
Серии

STripFET™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 5A, 10V
Мощность - Макс

2.5W
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Другие названия

497-10011-1
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

475pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

4.6nC @ 5V
Тип FET

2 N-Channel (Dual)
FET Характеристика

Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

10A

Ниже приведены продукты, связанные с STS10DN3LH5.

STS110003L360500U129

Описание: THERMISTOR PTC 1K OHM 3% RADIAL

Производители: Cantherm

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STS10DN3LH5

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык