STS26N3LLH6

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$2.79

10+

$2.521

100+

$2.026

500+

$1.575

1000+

$1.305

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

STS26N3LLH6
Изготовитель / Производитель

STMicroelectronics
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

STS26N3LLH6.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

8-SO
Серии

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

2.7W (Ta)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Другие названия

497-12348-1
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4040pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

40nC @ 4.5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

30V
Подробное описание

N-Channel 30V 26A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

26A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с STS26N3LLH6.

STS2DPFS20V

Описание: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

STS26N3LLH6

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Выберите язык

Текущий язык